KRI 霍爾離子源 eH 1000
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            KRI 霍爾離子源 eH 1000

            KRI 霍爾離子源 eH 1000
            上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 1000 高效氣體利用, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
            尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
            放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A
            操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

            KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
            可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
            寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
            多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便; 無需水冷
            高效的等離子轉換和穩定的功率控制

            KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術參數:

            型號

            eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO

            供電

            DC magnetic confinement

              - 電壓

            40-300V VDC

              - 離子源直徑

            ~ 5 cm

              - 陽極結構

            模塊化

            電源控制

            eHx-30010A

            配置

            -

              - 陰極中和器

            Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

              - 離子束發散角度

            > 45° (hwhm)

              - 陽極

            標準或 Grooved

              - 水冷

            前板水冷

              - 底座

            移動或快接法蘭

              - 高度

            4.0'

              - 直徑

            5.7'

              - 加工材料

            金屬
            電介質
            半導體

              - 工藝氣體

            Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

              - 安裝距離

            10-36”

              - 自動控制

            控制4種氣體

            * 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

            KRI 霍爾離子源 eH 1000 應用領域:
            離子輔助鍍膜 IAD
            預清洗 Load lock preclean
            預清洗 In-situ preclean
            Direct Deposition
            Surface Modification
            Low-energy etching
            III-V Semiconductors
            Polymer Substrates

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