KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
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            KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻

            KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
            上海伯東美國 KRI 射頻離子源安裝在日本 NS 離子蝕刻機中, 對應用于半導體后端的 6寸晶圓進行刻蝕
            Hakuto (NS) 離子蝕刻機技術規格:

            型號

            NS 7.5IBE

            NS 10IBE

            NS 20IBE-C

            NS 20IBE-J

            適用范圍

            適用于科研院所,實驗室研究

            適合小規模量產使用和實驗室研究

            適合中等規模量產使用的離子刻蝕機

            適合大規模量產使用的離子刻蝕機

            基片尺寸

            Φ4 X 1片或
            Φ6 X 1片

            φ8 X 1片

            φ3 inch X 8片
            φ4 inch X 6片
            φ8 inch X 1片

            Φ4 inch X 12片
            φ5 inch X 10片
            φ6 inch X 8片

            離子源

            8cm 或 10cm
            考夫曼離子源

            10cm NS離子源

            20cm 考夫曼離子源

            20cm 考夫曼離子源

            上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
            RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
            RFICP  系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
             

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