分子束外延 MBE-8
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            分子束外延 MBE-8

            分子束外延 MBE-8
            上海伯東代理鎧柏科技分子束外延設備 MBE-8 可以成長三寸以下的樣品, 樣品溫度可以加到 900 攝氏度, 如果是兩寸以下的樣品可以到 1100 攝氏度. 可以裝置 8個束源爐, 最大容量 40cc. 配備晶振, 束流監控器, 高能電子槍以及監控軟件. 可以裝置固體源, 氣體源 / ALD閥, 等離子增強型束源爐 ( plasma cell ) 及我們特制的電子回旋共振束源爐 ( ECR plasma cell ). 可裝電子槍 E-beam.

            此腔體是用 SUS316 不銹鋼制作, 真空可到 2×10-10 torr, 使用上海伯東德國 Pfeiffer HiPace 700 分子泵.內部有全罩式液態氮冷罩, 可提供非常大的抽氣效率. 分子束外延設備在長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si / SiGe, 金屬與金屬氧化物 (因為我們有獨步全球的激光加熱器, 可到 2英寸), 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

            分子束外延 MBE-8 主要參數
            • Cylindrical SS316L electro-polished chamber with Liquid N2 Cryopanel
            • ~2E-10 Torr Base Pressure
            • UHV pumps and gauges
            • 3-in substrate size
            • 4-axes sample manipulator (XYZ, and Rotation)
            • SiC heating element with sample heating temperature: 900°C
            • 2-12 slots for effusion cells, gas source, vavle crackers, and/or plasma source
            • Standard RHEED system (real-time epitaxy monitoring)
            • Beam flux monitor
            • Mask system with z-motion
            • Pressure control system: upstream and downstream
            • FBBeam System Control Software

            分子束外延設備優勢
            清潔基體表面, 無氧層
            外延 ( 原子層 ) 沉積
            沉積薄膜均勻性好, 純度高
            金屬種子, 半導體材料和摻雜劑的原位沉積

            精確控制熱蒸發
            使用 RHEED 系統進行現場涂層監測
            沉積薄膜的超豎琴 XRD 圖譜

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