射頻離子源 RFICP 40
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            射頻離子源 RFICP 40

            KRI 射頻離子源 RFICP 40
            上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計采用創新的柵極技術用于研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

            射頻離子源 RFICP 40 特性:
            1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
            2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 有效優化蝕刻率和均勻性.
            3. 提供聚焦, 發散, 平行的離子束
            4. 離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
            5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
            6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性

            KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:

            型號

            RFICP 40

            Discharge 陽極

            RF 射頻

            離子束流

            >100 mA

            離子動能

            100-1200 V

            柵極直徑

            4 cm Φ

            離子束

            聚焦, 平行, 散射

            流量

            3-10 sccm

            通氣

            Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

            典型壓力

            < 0.5m Torr

            長度

            12.7 cm

            直徑

            13.5 cm

            中和器

            LFN 2000

            KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用領域:
            預清洗
            表面改性
            輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD,
            濺鍍和蒸發鍍膜 PC
            離子濺射沉積和多層結構 IBSD
            離子蝕刻 IBE

            1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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