KRI 考夫曼離子源 KDC 75
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            KRI 考夫曼離子源 KDC 75

            KRI 考夫曼離子源 KDC 75
            上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
             

            KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數

            型號

            KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)

            供電

            DC magnetic confinement

             - 陰極燈絲

            2

             - 陽極電壓

            0-100V DC

            電子束

            OptiBeam™

             - 柵極

            專用, 自對準

             -柵極直徑

            7.5 cm

            中和器

            燈絲

            電源控制

            KSC 1212 或 KSC 1202

            配置

            -

             - 陰極中和器

            Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

             - 安裝

            移動或快速法蘭

             - 高度

            7.9'

             - 直徑

            5.5'

             - 離子束

            聚焦
            平行
            散設

             -加工材料

            金屬
            電介質
            半導體

             -工藝氣體

            惰性
            活性
            混合

             -安裝距離

            6-24”

             - 自動控制

            控制4種氣體

            * 可選: 一個陰極燈絲; 可調角度的支架

            KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
            濺鍍和蒸發鍍膜 PC
            輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
            表面改性, 激活 SM
            離子濺射沉積和多層結構 IBSD
            離子蝕刻 IBE


            客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置
            美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
            考夫曼離子源 KDC 75

             

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