KRI 霍爾離子源 eH 系列
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            KRI 霍爾離子源 eH 系列

            美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
            美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計有效提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護. 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統, 卷繞鍍膜機等.
            霍爾離子源

            美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性
            無柵極
            高電流低能量
            發散光束 >45
            可快速更換陽極模塊
            可選 Cathode / Neutralize 中和器

            美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應用
            輔助鍍膜 IBAD
            濺鍍&蒸鍍 PC
            表面改性、激活 SM
            沉積 (DD)
            離子蝕刻 LIBE
            光學鍍膜
            Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
            Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

            例如
            1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
            2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設備預清洗
            3. 表面處理
            4. 表面硬化層鍍膜
            5. 磁控濺射輔助鍍膜
            7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜

            美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH

            霍爾離子源 eH 系列在售型號:

            型號

            eH200(停產)

            eH400
            eH400LE

            eH1000
            eH1000LE
            eH1000LO

            eH1000xO2 

            eH2000
            eH2000LE
            eH2000HO 

            eH3000
            eH3000LO
            eH3000MO

            Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

            Cathode/Neutralizer 

            F or HC

            F or HC

            F or HC

            F or HC

            F or HC
            HC
            HC

            HC

            陽極電壓

            30-300V

            50-300V
            30-150V

            50-300V
            30-150V
            50-300V

            100-300V

            50-300V
            30-150V
            50-250V

            50-250V
            50-300V
            50-250V

            電流

            2A

            5A
            10A

            10A
            12A
            5A

            10A

            10A
            15A
            15A

            20A
            10A
            15A

            散射角度

            >45

            >45

            >45

            >45

            >45

            >45

            氣體流量

            1-15sccm

            2-25sccm

            2-50sccm

            2-50sccm

            2-75sccm

            5-100sccm

            高度

            2.0“

            3.0“

            4.0“

            4.0“

            4.0“

            6.0“

            直徑

            2.5“

            3.7“

            5.7“

            5.7“

            5.7“

            9.7“

            水冷

            可選

            可選

            可選

            可選

            F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

            1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

            若您需要進一步的了解 KRI 霍爾離子源, 請參考以下聯絡方式
            上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
            T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
            F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
            M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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