射頻離子源 RFICP 140
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            射頻離子源 RFICP 140

            KRI 射頻離子源 RFICP 140
            上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內獲得很高的離子密度.

            KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:

            型號

            RFICP 140

            Discharge 陽極

            RF 射頻

            離子束流

            >600 mA

            離子動能

            100-1200 V

            柵極直徑

            14 cm Φ

            離子束

            聚焦, 平行, 散射

            流量

            5-30 sccm

            通氣

            Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

            典型壓力

            < 0.5m Torr

            長度

            24.6 cm

            直徑

            24.6 cm

            中和器

            LFN 2000

            KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域:
            預清洗
            表面改性
            輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
            濺鍍和蒸發鍍膜 PC
            離子濺射沉積和多層結構 IBSD
            離子蝕刻 IBE

            1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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